Heinz Beneking Knihy

InhaltsverzeichnisUntersuchungen über integrierte Kettenverstärker.1. Einleitung.2. GaAs-MeSFET mit Streifenleitungsanschlüssen.2.1 Allgemeines.2.2 Technologie.2.3 Elektrische Eigenschaften.2.4 Diskussion.3. Microstrip-Streifenleitungen auf hochohmigen Halbleitersubstraten.3.1 Elektrische Eigenschaften.3.2 Technologie der Microstrip-Leitungen.4. Rechnergestütztes Entwurfsverfahren.4. 1 Theorien des Kettenverstärkers.4. 2 Analyse- und Optimierungsprogramm.4.3 Ergebnisse.5. Zusammenfassung.Abbildungen.

Inhaltsverzeichnis1. Einleitung.2. Kristallqualität.2.1 Einkristallinität.2.2 Versetzungsdichte.2.3 Kristalldurchmesser.2.4 Verunreinigungen im Kristall.3. Beschreibung eines Kristallziehversuches.3.1 Vorbereitung.3.2 Durchführung.3.3 Versuchsende und Reparatur des Reaktors.4. Versuche zur Optimierung der Parameter.4.1 Aufbau der Apparatur.4.2 Bewegung des Keimhalters.4.3 Reproduzierbarkeit der Keimbewegung.4.4 Temperaturmessung und -regelung.4.5 Temperaturgradienten.4.6 Sichtverhältnisse.4.7 Ergebnisse.5. Meßtechnische Untersuchungen an GaAs-Einkristallen.5.1 Untersuchungen zu Löcher-Lebensdauern und -diffusionslängen in GaAs-Epitaxieschichtén.5.2 Gegenüberstellung von Meßverfahren.5.3 Zusammenstellung der Ergebnisse.6. Zusammenfassung.Abbildungen.Liste der Bezeichnungen zu Abschnitt 5.